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题目是这样的：- d v7 V7 N, ~
@+ s- n* ~1 e0 [, I
9 T* p1 E3 |! \$ @0 a2 H, C& B
在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3: e! G+ }! W7 n. ]) }3 Z! M
1.
7 q( L( @: R/ z; E: d分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。, a6 Z6 r: J6 e7 Q- ^
2.3 M5 q" J/ Z+ ?9 x* l3 x7 a" ?3 A
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。8 E( o0 O& D a" I3 }0 {
3.$ Q, K- y, |( L" E# p4 O! O- D
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。- Q% }, T; K. G. i% C# n% Z7 A
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv- M, e7 |2 x+ ~ D/ E) W. \
硅材料 Nc＝2.8*1019
) m5 ~1 S4 ]& I) S9 J ^, {0 A0 hNv＝1.04*1019
' m$ ^, I* a8 D8 Re＝1.6*10－19C1 \0 p/ L1 R" I9 A! H2 ]
KB＝1.38*10－23J/K
: Q% w. H' m5 e$ L3 l; `
5 J3 D K# l' K: u0 H $ M/ P9 z* C- V
- G! H4 z& J6 x 4 e% Z8 m, F0 m! N
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。 |
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发表于 2008-3-25 21:40:07
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